RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
49
En -113% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
23
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2465
2619
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link