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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs AMD R7S44G2606U1S 4GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Puntuación global
AMD R7S44G2606U1S 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
AMD R7S44G2606U1S 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
52
En -160% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.9
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
20
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
18.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2179
2707
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
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