RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Compara
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
52
En -49% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
35
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2179
3052
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link