RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Compara
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
52
En -100% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.8
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.8
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
26
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
19.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2179
3635
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 16JTF51264AZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link