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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
52
En -117% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
24
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2179
2821
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
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