RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Compara
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Puntuación global
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
52
En -148% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.8
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
21
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
18.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2179
3168
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link