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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Puntuación global
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
52
En -100% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.2
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
26
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
13.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2179
3068
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
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