RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
44
45
En 2% menor latencia
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
45
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2293
2190
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link