RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
44
En -63% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
27
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2293
3784
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston HX316C10F/8 8GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
G Skill Intl F3-1600C9-8GXM 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4A-H9 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Informar de un error
×
Bug description
Source link