RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Puntuación global
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
44
En -91% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.3
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
23
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2293
2629
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link