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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Puntuación global
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
44
En -76% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
25
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2293
3843
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
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