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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Puntuación global
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
44
En -100% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
22
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2293
3205
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
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