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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Puntuación global
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
44
En -91% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.9
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.5
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
23
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
19.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
16.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2293
3832
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
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G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
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