RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Puntuación global
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
44
En -52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
29
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2293
3398
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link