RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
44
En -76% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.0
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
25
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
16.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2293
3651
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link