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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
44
En -42% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.8
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
31
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2293
2881
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
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