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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
44
En -83% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
24
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2293
2445
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
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