RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
44
En -63% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
27
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2293
3198
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link