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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
44
En -76% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
25
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2293
3061
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
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Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
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