RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
44
En -22% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
36
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2293
2966
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link