RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
44
En -120% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
20
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2293
3506
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link