RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
44
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
34
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2293
3206
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link