RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
44
En -69% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.8
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.9
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
26
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
18.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
17.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2293
4053
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Informar de un error
×
Bug description
Source link