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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
44
En -91% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22.4
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
20.1
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
23
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
22.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
20.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2293
4421
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
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SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
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