RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Puntuación global
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
44
En -69% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.9
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
26
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
15.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2293
3773
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link