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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Puntuación global
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Razones a tener en cuenta
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
44
En -19% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
37
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2293
2808
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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