RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Puntuación global
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
44
86
En 49% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
5.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.1
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
86
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
12.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
5.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2293
1220
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link