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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Puntuación global
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
44
67
En 34% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.1
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
67
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2293
2027
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
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