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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Puntuación global
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
44
En -120% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.9
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
20
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
19.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2293
3152
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9932301-P01.A00G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
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