RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Puntuación global
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
44
En -16% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.2
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
38
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
9.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2293
2359
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link