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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Puntuación global
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
44
En -76% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.4
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
25
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
17.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2293
3848
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R748G2606U2S 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
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