RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
44
En -26% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
35
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2293
2926
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link