RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
44
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
34
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2293
2665
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link