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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
44
En -38% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.1
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.7
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
32
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
9.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2293
2434
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
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Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
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