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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

Puntuación global
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Puntuación global
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Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    11.2 left arrow 8.5
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.1 left arrow 5.6
    Valor medio en las pruebas
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
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  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 10600
    En 2.01 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    44 left arrow 44
  • Velocidad de lectura, GB/s
    11.2 left arrow 8.5
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.1 left arrow 5.6
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2293 left arrow 1660

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM

EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB

Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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