Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB

Puntuación global
star star star star star
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Puntuación global
star star star star star
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    24 left arrow 44
    En -83% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    14.1 left arrow 11.2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    11.8 left arrow 8.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 10600
    En 1.81 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    44 left arrow 24
  • Velocidad de lectura, GB/s
    11.2 left arrow 14.1
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.1 left arrow 11.8
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2293 left arrow 2879
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones