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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
44
En -57% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.8
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.6
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
28
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
18.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
15.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2293
3465
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
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