RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Puntuación global
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
49
En -58% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
31
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
3168
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link