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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Puntuación global
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
49
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
38
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
2988
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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