RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Puntuación global
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
49
53
En 8% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
53
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
2863
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link