RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Puntuación global
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
49
En -123% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
22
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
3060
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link