RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
49
En -58% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
31
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
2994
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Informar de un error
×
Bug description
Source link