RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
49
En -113% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.9
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
23
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
2709
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link