RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
49
En -32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.6
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.2
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
37
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
9.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
2722
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link