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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
49
94
En 48% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
6.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.2
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
94
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
13.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
6.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
1390
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
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