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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
49
En -44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
34
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
2881
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR533D2N4 512MB
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Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
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Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
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