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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Puntuación global
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
49
En -63% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.3
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
30
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
3323
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
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