RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
49
En -75% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
28
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
3567
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link