RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
49
En -58% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.7
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
31
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
11.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
1997
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link