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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
49
En -123% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
22
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
2388
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
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